Horacio Wagner Leite Alves Professor Associado IV   Fone: (32)33.79.24.83   Fax: (32)33.79.25.25   E-mail:      Version française:     English version:

 

 

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 Formação Acadêmica:

 

• 1983 - Bacharel em Física pelo Instituto de Física - USP , São Paulo, Brasil.
• 1985 - Mestre em Física do Estado Sólido pelo Instituto de Física - USP , São Paulo, Brasil. Dissertação apresentada: Níveis Profundos Associados à Vacância e Nitrogênio em Diamante(Orientador: Prof. Dr. José Roberto Leite).
• 1989 - Doutor em Física do Estado Sólido pelo Instituto de Física - USP , São Paulo, Brasil. Tese apresentada: Níveis Profundos de Defeitos e Impurezas em Diamante e Germânio(Orientador: Prof. Dr. José Roberto Leite).
• 1989/1991 - Estágio de Pós-Doutorado em Física do Estado Sólido no Laboratoire de Physique des Solides da Université Pierre et Marie Curie, Paris, França. Trabalho Desenvolvido: Dinâmica de Redes do Fosfeto de Boro(Supervisor: Dr. Karel Kunc - Pesquisador Associado ao CNRS).

• Física da Matéria Condensada;
• Física Atômica e Molecular;
• Biofísica Molecular;
• Ciência dos Materiais;
• Química Quântica.

• Aplicação de métodos ab initio FP-LAPW(códigos Wien2k e exciting) e Pseudopotencial(códigos abinit e VASP), que usam a Teoria do Funcional Densidade, para a determinação de modos vibracionais e das propriedades estruturais, dielétricas e eletrônicas das superfícies, de ligas, de nanoestruturas, de defeitos e impurezas ou do "bulk" de novos materiais, especialmente os de aplicações em spintrônica.
• Aplicação de modelos semi-empíricos(Shell Model, Bond Charge Model, Valence Force Field) e modelos usando a aproximação Quasi-harmônica dentro da Dinâmica de Redes (programas Shell e GULP) para a descrição de modos vibracionais de superfícies, ligas e outras nanoestruturas de novos materiais.
• Estudo do politipismo em bulk e em nanofios de materiais semicondutores, usando o modelo ANNNI conjugado com simulações Monte Carlo e cálculos de Energia Total.
• Simulação da fase inicial de crescimento dos Nitretos, através do MBE ou do MOCVD, sobre diversos substratos, tais como o GaAs, SiC ou BP, usando técnicas de Monte Carlo Cinético conjugado com cálculos de Energia Total.
• Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e vibracionais de Nanofios de Si, Nitretos, InP e óxidos.
• Estudo de excitações eletrônicas elementares usando a TDDFT, o método GW e, resolvendo a equação de Bethe-Salpeter.
• Desenvolvimento de modelos teóricos(como o modelo IMDHO) para descrição da fluorescência em moléculas e sólidos.
• Desenvolvimento de modelos teóricos para descrição das propriedades de transporte semiclássica em sólidos(resolvendo a equação de Boltzmann) a partir de resultados de cálculos de estrutura de bandas(programas Boltztrap e Boltzwann) e, aplicando em novos materiais termoelétricos (bulk, superfícies e nanoestruturas).
• Aplicação conjunta de técnicas de quimica quântica (código Gaussian e orca) e de estado sólido tanto para caracterização de aminoácidos e proteínas, como para descrever fenômenos biofísicos que envolvam transições eletrônicas, tais como as transições ópticas na clorofila e β-caroteno, troca de O₂ por CO₂ na Hemoglobina, e na formação de polipeptídeos e da β-hematina.
• Materiais semicondutores de interesse(materiais "wide band gap"): Fosfeto de Boro(BP), Nitretos do grupo III, Carbeto de Silício(SiC) e Diamante.
• Materiais óxidos de interesse(materiais "high-K oxides"): HfO₂, TiO₂, ZrO₂, SnO₂, SrTiO₃, In₂O₃:Sn.
• Aplicação de técnicas de quimica quântica para caracterização de macromoléculas constituintes das membranas biológicas, canais iônicos e proteínas.

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• Propriedades Dinâmicas de Novos Materiais Semicondutores.
• Caracterização de Sólidos e de Macromoléculas da Biologia.

 

• P. D. Borges, L. M. R. Scolfaro, H. W. Leite Alves and E. F. da Silva Jr., DFT study of the electronic, vibrational and optical properties of SnO₂, Theoretical Chemistry Accounts 126, 39(2010).
• J. C. Garcia, L. M. R. Scolfaro, A. T. Lino, V. N. Freire, G. A. Farias, C. C. Silva, H. W. Leite Alves, S. C. P. Rodrigues and E. F. da Silva, Jr., Structural, electronic and optical properties of ZrO₂ from ab initio calculations, Journal of Applied Physics 100, 104103(2006).
• H. W. Leite Alves and K. Kunc, Lattice Dynamics of Boron Phosphide, J. Phys. Condensed Matter 4, 6603(1992).
• R. de Paiva, J. L. A. Alves, R. A. Nogueira, C. de Oliveira, H. W. Leite Alves, L. M. R. Scolfaro and J. R. Leite, Theoretical Study of the Al_xGa_1-xN Alloys, Mater. Sci. Eng. B - Solid State Materials 93, 2(2002).
• C. C. Silva, H. W. Leite Alves, L. M. R. Scolfaro and J. R. Leite, Pressure-induced Phase Transitions and new polytypic structures in III-Nitrides, Physica Status Solidi (c)2, 2468(2005).
• R. de Paiva, R. A. Nogueira, C. de Oliveira, H. W. Leite Alves, J. L. A. Alves, L. M. R. Scolfaro and J. R. Leite, First-priciples calculations of the effective mass parameters of Al_xGa_1-xN and Zn_xCd_1-xTe Alloys, Braz. J. Phys. 32, 405(2002).
• V. A. Ferreira and H. W. Leite Alves, Boron Phosphide as the buffer-layer for the epitaxial III-Nitride growth: A theoretical study, J. Cryst. Growth 310, 3973(2008).
• J. L. P. Castineira, J. R. Leite, L. M. R. Scolfaro, R. Enderlein, J. L. A. Alves and H. W. Leite Alves,First Principles Studies of Point Defects and Impurities in Cubic Boron Nitride, Mater. Sci. Eng. B - Solid State Materials 51, 53(1998).

 

• Coordenador do Grupo de Pesquisa em Novos Materiais(GNM) do DCNAT - UFSJ.
• Coordenador do Programa FQMat da UFSJ desde de Julho/2015.
• Membro da Sociedade Brasileira de Física(SBF)
• Membro da Materials Research Society(MRS)
• Membro da American Physical Society(APS)
• Professor Colaborador junto ao Laboratório de Microeletrônica do Departamento de Física da UFPE desde 2010.

 

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Última atualização: 12/02/2015